| 0 |
|
Компанія Samsung Electronics оголосила про початок масового виробництва терабітних чотирирівневих комірок (QLC) вертикальної NAND (V-NAND) 9-го покоління.
Нагадаємо, у квітні цього року Samsung першою в галузі розпочала випуск трирівневих комірок (TLC) V-NAND 9-го покоління.
«Початок успішного масового виробництва QLC V-NAND 9-го покоління лише за чотири місяці після випуску TLC-версії дає нам змогу запропонувати повний модельний ряд передових SSD-рішень, що відповідають потребам епохи штучного інтелекту», - говорить Сунг-Хой Хур (SungHoi Hur), виконавчий віцепрезидент і голова підрозділу Flash Product & Technology компанії Samsung Electronics. «Оскільки ринок корпоративних твердотільних накопичувачів демонструє стрімке зростання і підвищений попит на додатки для штучного інтелекту, ми будемо і далі зміцнювати своє лідерство в цьому сегменті завдяки QLC і TLC V-NAND 9-го покоління».
Samsung планує розширити сферу застосування QLC V-NAND 9-го покоління, розпочавши з фірмових споживчих продуктів і поширивши їх на мобільні універсальні флеш-накопичувачі (UFS), ПК і серверні SSD для клієнтів, включно з постачальниками хмарних послуг.
У QLC V-NAND 9-го покоління Samsung об'єднала низку інновацій, які дали змогу здійснити технологічний прорив:
Технологію травлення отворів у каналах Samsung було використано для досягнення найвищої в галузі кількості шарів у структурі з подвійним стеком. Використовуючи технологічний досвід, накопичений при створенні TLC V-NAND 9-го покоління, було оптимізовано площу комірок і периферійних ланцюгів, що дало змогу досягти найкращої в галузі щільності бітів, яка приблизно на 86% перевищує щільність бітів у QLC V-NAND попереднього покоління.
Технологія Designed Mold регулює відстань між лініями Word Lines (WL), які керують комірками, для забезпечення однорідності та оптимізації характеристик комірок на всіх шарах і всередині них. Ці характеристики стають дедалі важливішими в міру збільшення кількості шарів V-NAND. Використання технології Designed Mold дало змогу підвищити ефективність зберігання даних приблизно на 20% порівняно з попередніми версіями, що призвело до підвищення надійності продукції.
Технологія Predictive Program передбачає і контролює зміни стану комірок, щоб звести до мінімуму непотрібні дії. Технологія QLC 9-го покоління V-NAND від Samsung дала змогу подвоїти продуктивність запису та підвищити швидкість введення/виведення даних на 60% завдяки вдосконаленню цієї технології.
Енергоспоживання під час читання і запису даних знизилося приблизно на 30% і 50% відповідно завдяки використанню технології Low-Power Design. Цей метод дає змогу знизити напругу, що подається на комірки NAND, і мінімізувати енергоспоживання завдяки зчитуванню тільки необхідних бітових ліній (BL).
Про DCIM у забезпеченні успішної роботи ІТ-директора
| 0 |
|
