| 0 |
|
Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства микросхем флеш-памяти NAND с архитектурой многоуровневых ячеек (MLC) и асинхронным интерфейсом DDR. Новые микросхемы имеют емкость 32 Гб и выпускаются по технологическим нормам 30 нм. Первые поставки этих микросхем памяти ведущим OEM-производителям начнутся в конце текущего месяца.
Новая асинхронная технология DDR NAND, которую также называют Toggle-mode NAND, обладает повышенной (в три раза) скоростью чтения по сравнению с предыдущей технологией (SDR NAND). Метод Toggle-mode NAND увеличивает скорость чтения данных в мобильных устройствах, которым требуется высокая производительность и большая емкость хранения. Скорость чтения микросхемы Toggle-mode NAND составляет 133 Мб/с , тогда как у памяти SDR NAND она не превышала 40 Мб/с.
Новые микросхемы могут использоваться в SSD, высокопроизводительных картах памяти SD (класс 6), картах памяти для смартфонов, в персональных медиаплеерах (PMP), MP3-плеерах и автомобильных навигационных системах (CNS).
Чипы NAND с технологией Toggle-mode – это важный элемент в расширении портфеля экологически чистых запоминающих устройств Samsung. В начале сентября Samsung приступил к реализации международной маркетинговой кампании под лозунгом «Меньше энергии, больше скорости», которая изначально была сосредоточена на энергоэффективных чипах DRAM DDR3 емкостью 2 Гб, разработанных по технологическим нормам 40 нм. Начав выпуск чипов NAND с технологией Toggle-mode, Samsung распространяет свои экологические инициативы на решения, основанные на памяти NAND, включая твердотельные диски и карты памяти.
Производство микросхем NAND с архитектурой многоуровневых ячеек по технологии 30-нанометрового класса началось спустя всего восемь месяцев после того, как компания Samsung впервые объявила о доступности чипов NAND с архитектурой многоуровневых ячеек емкостью 32 Гб, выпущенных по технологии 30-нанометрового класса.
При использовании чипов NAND с технологией Toggle-mode, выпущенных по технологическим нормам 30-нанометрового класса, количество сигналов передачи данных удваивается, причем без увеличения энергопотребления. Прирост производительности благодаря повышению скорости чтения в твердотельных дисках (SSD) составляет более 10%, а в картах памяти – 400%.
Согласно исследованиям аналитической компании iSuppli, в 2009 г. объем мирового рынка флеш-памяти NAND составит 11,6 млрд долл., а в 2012-м достигнет 19,1 млрд. Таким образом, среднегодовой рост этого рынка достигнет 65%.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
