Samsung начала серийное производство трехбитовой памяти 3D V-NAND

Samsung Electronics начала серийное производство первой в индустрии флэш-памяти типа NAND с вертикальной объемной компоновкой (3D V-NAND) и способностью хранить по три бита в одной ячейке. Память предназначена для использования в твердотельных накопителях.

Новая память относится ко второму поколению памяти Samsung V-NAND, представленной в мае этого года. В ячейках V-NAND используется технология CTF (Charge Trap Flash), а массивы ячеек расположены слоями один поверх другого. В ушедшем в производство чипе интегрировано 32 слоя ячеек, а его общая емкость достигает 128 Гб.

Такая структура, кроме повышения емкости, также позволяет увеличить эффективность производства, более чем вдвое в расчете на одну пластину по сравнению с обычной трехбитной памятью, выпускаемой Samsung по 10-нанометровому техпроцессу.