Samsung анонсировала 128-гигабитные чипы флэш класса 10 нм

Компания Samsung Electronics анонсировала начало массового производства чипов NAND-памяти емкостью 128 Гб на базе трехуровневых ячеек, выпускаемых с помощью технологического процесса класса 10 нм. Последнее подразумевает, что допуск лежит в пределах от 10 до 19 нм.

По заявлению Samsung, эти микросхемы имеют наибольшую физическую плотность и самую высокую производительность, которая при использовании интерфейса DDR 2 достигнет 400 Мб/c. Напомним, что Micron Technology недавно также анонсировала выпуск чипов NAND MLC с трехуровневыми ячейками памяти емкостью 128 Гбит на базе производственного процесса с допуском 20 нм.

Барьер допуска 20 нм Samsung прошла еще в ноябре 2012 г., когда объявила о начале производства чипов MLC NAND емкостью 64 Гб.

С появлением 128-гигабитных микросхем MLC NAND станет возможным выпуск карт памяти на 128 ГБ и SSD объемом свыше 500 ГБ.