Samsung Foundry продемонстрировала SoC, созданную с применением технологии LP HKMG 32 нм

Samsung Electronics сообщила, что ее производственное предприятие бизнес Samsung Foundry успешно провело квалификационные испытания энергоэкономичной технологии выпуска микросхем LP HKMG (high-k metal gate) с уровнем детализации 32 нм. Соблюдение необходимых условий надежности процесса проконтролировано на фабрике 300-миллиметровых пластин S Line в Гихюне (Южная Корея).

В ходе испытаний Samsung Foundry спроектировала и выпустила SoC, которая демонстрирует снижение динамического потребления энергии на 30% и уменьшение утечки мощности на 55% по сравнению с 45-нанометровой LP SoC, работающей на той же частоте. Помимо первой в индустрии реализации LP HKMG 32 нм, в чипе использована интеллектуальная собственность ARM (ядро ARM 1176, стандартные ячейки, компиляторы памяти), Synopsys (USB 2.0 OTG), Cadence Design Systems и Mentor.

Новый процесс позволит наладить массовый выпуск чипов для мобильного потребительского оборудования с высокими требованиями к производительности и экономии энергии, а также обеспечит плавный путь миграции на будущую 28-нанометровую технологию LP.