Компанія Samsung Electronics офіційно повідомила про постачання пробних партій перших у галузі чипів пам'яті GDDR6, що забезпечують швидкість 24 Гбіт/с.
Зазначається, що при виробництві нових чипів використовується технологія High-K Metal Gate, яку Samsung вперше застосувала у 2018 році. Новий матеріал ізолятора дозволяє скоротити витоки струму та підняти продуктивність мікросхеми.
Нові чипи пам'яті GDDR6, які націлені на використання у графічних системах нового покоління, випускаються з використанням EUV-літографії з нормами 10 нанометрів (процесс 1z). У анонсованих рішеннях вдалося досягти майже на третину вищу швидкість порівняно з попереднім поколінням чипів, які показували 18 Гбіт/с.
Крім того Samsung буде виготовляти варіанти з низьким енергоспоживанням, що у край важливо для підвищення часу автономної роботи ноутбуків. Використовуючи технологію динамічної зміни напруги (DVS), яка регулює робочу напругу в залежності від вимог до продуктивності, будуть випускатися моделі чипів зі швидкістю 20 та 16 Гбіт/с, які дадуть приблизно на 20% більшу енергоефективність.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| +11 голос |
|
