Самоорганизующиеся полимеры помогли создать КМОП-устройства с детализацией 20 нм

Semiconductor Research Corporation (SRC), Стэнфордский университет и TSMC сообщили об успешной разработке первых в индустрии полевых транзисторов и КМОП-инверторов с 20-нанометровыми контактными отверстиями, изготовленных методом полимерной литографии (diblock copolymer lithography).

В поисках путей дальнейшей миниатюризации электронных схем, ученые в последние годы обратились к так называемым блочным сополимерам. Этот органический материал совместим с традиционным процессом производства полупроводниковых устройств, причем, тонкая плёнка из него при определенных условиях способна самоорганизовываться в массивы упорядоченных отверстий диаметром 20 нм и меньше. Такая пленка может затем использоваться как шаблон для создания электрических контактов в сверхминиатюрных микросхемах.

Предыдущие попытки применения блочных сополимеров не привели к успеху, так как не удавалось соотносить получающиеся отверстия с геометрией цепей на полупроводниковой основе. В рамках нового, спонсируемого SRC проекта ученые смогли изготовить первые действующие КМОП-устройства и чипы с детализацией менее 22 нм в масштабе всей заготовки.

Результаты исследований, по мнению их участников, станут стимулом дальнейших инноваций в сфере нанопроизводства и, смогут быть внедрены в технологический процесс в следующие 7-10 лет.