Ринок DRAM досяг майже 200 млрд дол. у ІІІ кв

Світовий ринок оперативної пам'яті DRAM за підсумками третього кварталу 2026 року досяг рекордного обсягу, що наближається до 200 млрд дол., показуючи вибухове зростання виторгу на 369% у річному обчисленні (майже у п'ять разів порівняно з аналогічним періодом минулого року). Як повідомляє Counterpoint Research, основними рушіями суперциклу стали жорсткий дефіцит потужностей, зростання середньої ціни продажу ASP та ажіотажний попит з боку операторів АІ-дата-центрів. 

Лідерство на ринку DRAM утримує корпорація Samsung із ринковою часткою 38%. Водночас компанія SK hynix продемонструвала стрімкіші темпи квартального зростання - її виторг зріс понад ніж на 40% порівняно з другим кварталом 2026 року, що дозволило повернути частину втрачених на початку року позицій. Американська Micron також зафіксувала сильні результати на тлі попиту з боку дата-центрів, проте зростала повільніше за корейських конкурентів. Частка китайського виробника CXMT знизилася з 10% у другому кварталі до 9% у третьому кварталі 2026 року під тиском відвантажень дорожчих модулів HBM4 конкурентами.

Головним чинником зростання стало стрімке підвищення середньої ціни продажу пам'яті ASP, яка досягла 1,9 дол. за гігабіт Gb. Старший аналітик Counterpoint Research Чонку Чой (Jeongku Choi) підкреслив: «Це суперцикл цін, а не обсягів. Бітові поставки зросли лише приблизно на 4% цього кварталу, однак виторг DRAM досяг майже 200 млрд дол., що майже вп'яте перевищує показник річної давнини. Штучний інтелект перетворив пам'ять із масового товару на цінний дефіцитний ресурс, і покупці зараз змагаються за поставки, а не торгуються за ціною. З огляду на триваюче зростання цін, постачальники впевнено йдуть до нових фінансових рекордів у наступному кварталі».

У структурі продажів частка високосмугової пам'яті HBM у загальному виторгу DRAM дещо знизилася, незважаючи на майже дворазове зростання доходів від цього напрямку, оскільки традиційна пам'ять DDR та LPDDR зростала ще швидше. Виторг від серверної пам'яті DDR зріс на 500% у річному обчисленні, а LPDDR — майже на 400%. Асоційований директор Counterpoint Research Брейді Ван (Brady Wang) пояснив: «Стрімкий розвиток агентського АІ безпрецедентно піднімає попит на звичайну DRAM. За даними нашого трекера Cloud AI, співвідношення GPU до CPU суттєво звузилося з 4:1 до 2:1 і навіть наближається до 1:1. Наприклад, у стійці NVIDIA Vera Rubin обсяг CPU DRAM на один сокет зростає майже втричі — до 1,5 ТБ порівняно з попереднім поколінням».

Директор з досліджень Counterpoint Research Ем Ес Хван (MS Hwang) відзначив: «Кожне нове покоління HBM перерозподіляє лідерство. SK hynix домінувала в епоху HBM3E, але її зростання сповільнилося, тоді як HBM4 від Samsung позитивно сприймається клієнтами. Після відновлення прибутків цього року очікується, що Samsung посідає перше місце в сегменті HBM наступного року». Він додав, що довгострокові угоди LTA та відсутність нових великих фабрик до 2028 року утримуватимуть дефіцит і високі ціни протягом усього 2027 року.

Поточний суперцикл на ринку DRAM підтверджує глибоку трансформацію напівпровідникового сектору, де пам'ять перетворилася з циклічного біржового товару на критичне вузьке місце АІ-інфраструктури. Співвідношення між зростанням бітових постачань лише на 4% та стрибком виторгу майже у 5 разів показує, що виробники оперують у умовах абсолютного диктату продавця, де ціновий фактор повністю перекриває фізичні обсяги виробництва.

Зсув фокусу з HBM на звичайну серверну пам'ять DDR та LPDDR є прямим наслідком розвитку автономних АІ-агентів. Для обробки складних баз знань та утримання контексту агентським АІ потрібні велетенські обсяги оперативної пам'яті безпосередньо на центральних процесорах CPU. Зростання вимог до 1,5 ТБ DRAM на сокет у платформах рівня NVIDIA Vera Rubin створює жорсткий дефіцит на ринку серверної пам'яті, що викликає вимивання ресурсів із споживчого сектору та створює серйозний тиск на вартість ПК та смартфонів.

У стратегічній перспективі утримання високих цін на DRAM до 2028 року забезпечить Samsung, SK hynix та Micron надприбутки для фінансування капітальних витрат на нові фабрики. Водночас тиск на китайську CXMT посилюватиметься через технологічний розрив у сегменті HBM4, що прискорить консолідацію світового ринку пам'яті довкола корейської та американської трійки виробників.