Резистивная память станет проще и компактнее

Флэш-технология являлась стандартом энергонезависимой памяти уже на протяжении многих десятилетий, но по мере миниатюризации электронных схем она постепенно подходит к пределу совершенствования.

В качестве возможной альтернативы внимание ученых и разработчиков давно привлекает резистивная память – благодаря простой структуре, высокому быстродействию и долговечности. Она также пригодна для применения в схемах с уровнем детализации менее 10 нм, т.е. вдвое плотнее, чем современная флэш-память.

Типичная резистивная ячейка состоит из структуры «металл-оксид-металл», соединенной с селекторным устройством (обычно это диод). Команда Калифорнийского университета в Риверсайде (UC Riverside) разработали инновационный способ создания резистивной памяти – путем формирования самоорганизующихся «нано-островков» оксида цинка на кремнии.

Наблюдение с применением проводящего атомно-силового микроскопа, продемонстрировало способность этой структуры самостоятельно переключаться в три режима работы, что устраняет потребность в отдельном селекторном устройстве.

По заявлению Цзяньлина Лю (Jianlin Liu), профессора электротехники в UC Riverside и одного из авторов статьи»Multimode Resistive Switching in Single ZnO Nanoisland System» в журнале Scientific Reports, это достижение особенно важно на пороге широкомасштабного внедрения резистивной памяти электронной индустрией, так как оно позволяет значительно упростить технологический процесс и уменьшить себестоимость запоминающих устройств.