Решена проблема перспективных спинтронных материалов — 2D-магнитов
Объединённая команда Центра спинтроники Корейского научно-технического института (KIST) и Центра коррелированный электронных систем при Институте фундаментальных наук (IBS) нашла эффективный способ управления магнитными свойствами FGT (Fe3GeTe2), материала, относящегося к открытому в 2017 г. классу ван дер ваальсовых магнитов.
Многослойные гетероструктуры, состоящие из атомарно-тонких плоскостей 2D-материалов называют ван дер ваальсовыми, так как все эти плоскости удерживаются вместе слабыми ван дер ваальсовыми силами.
Большинство ван дер ваальсовых магнитов имеют ряд ограничений, таких как низкая температура Кюри и высокая коэрцитивность, которые ограничивают возможность их использования в приложениях спинтроники.
Коллектив KIST-IBS провёл эксперимент, показавший, что за изменение свойств FGT, как функции от количества электронов, ответственна магнитная анизотропия. Важность этого открытия заключается в том, что оно даёт в руки учёных возможный метод контроля характеристик магнитных 2D-материалов, позволяющий преодолеть их ограничения.
Авторы исследования кроме того утверждают, что данный метод является важной предпосылкой для разработки спинтронных устройств, превосходящих по быстродействию кремниевую электронику в 100 раз.