Разработан простой и стабильный мемристор для нейроморфных приложений

Израильскими инженерами из Университета Technion и полупроводниковой компании TowerJazz в журнале Nature Electronics недавно был представлен двухконтактный транзистор с плавающим затвором и низким потреблением энергии, изготовленный с использованием стандартной технологии single-poly и коммерческого 180-нанометрового КМОП-процесса.

Авторы показали, что их транзистор демонстрирует поведение, характерное для мемристоров (резисторов с памятью состояний).

В отличие от известных мемристоров, которые из-за плохой стабильности так и не достигли уровня коммерческих продуктов, это устройство под воздействием импульсов напряжения с оптимизированной амплитудой и длительностью смогло переходить в устойчивых 65 состояний с различным сопротивлением. Длительность хранения аналоговых данных, закодированных в этих состояниях, оценивается авторами в 10 лет.

Главное преимущество новых мемристорных устройств по сравнению с большинством существующих мемристоров состоит в том, что для выпуска их можно использовать коммерчески доступные производственные технологии.

В серии экспериментов был также продемонстрирован потенциал новых мемристоров для многих фундаментальных нейроморфных приложений, в том числе для синаптической пластичности спайковой нейросети, векторного перемножения матриц, ассоциативной памяти и обучения классификации.