Qimonda готовит миграцию своего производства DRAM на технологию Buried Wordline

Qimonda анонсировала инновационную технологию Buried Wordline DRAM, наряду с планами выпуска чипов вплоть до поколения 30 нм. По информации компании, Buried Wordline позволяет погружать числовую шину запоминающего устройства в кремниевую подложку, а разрядную шину надстраивать над ней, что обеспечивает более миниатюрную конструкцию, повышает производительность и снижает расход энергии. Как пояснил Томас Сейферт (Thomas J. Seifert), член правления и COO компании, Buried Wordline разработана ею самостоятельно "с нуля", хотя и унаследовала элементы низковольтной технологии у предыдущей платформы Qimonda.

Выпуск гигабитных микросхем DDR2 на базе этого решения и с уровнем детализации 65 нм начнется во второй половине текущего года, причем эта продукция будет производиться параллельно линейке устройств Qimonda, основанных на стандартной технологии DRAM. Спустя еще год будут развернуты широкомасштабные поставки 46-нанометровой Buried Wordline DRAM. Переход на этот уровень детализации обеспечит удвоение плотности битов (на пластину) по сравнению с современной 58-нанометровой trench-технологией Qimonda.

Руководство компании расчитывает в 2009-2010 финансовые годы выделить одноразовую дополнительную инвестицию в размере 100 млн евро с целью перевода имеющихся технологических линий Qimonda на Buried Wordline.