Продемонстрирована работа молекулярной памяти при 0 градусов Цельсия

28 январь, 2013 - 15:45
Продемонстрирована работа молекулярной памяти при 0 градусов Цельсия

Рост производительности компьютерных чипов вдвое каждые 18 месяцев (широко известный закон Мура), сопровождается соответствующим постоянным увеличением плотности записи информации.

В 1980 г. жесткие диски вмещали где-то полмегабайта на квадратный дюйм регистрирующей поверхности; теперь там же упаковывают почти миллион мегабайт.

Новый прорыв с увеличением плотности записи на три порядка обещает экспериментальная технология, так называемой, молекулярной памяти. Однако, до сих пор, все предлагавшиеся схемы сохранения данных в индивидуальных молекулах требовали охлаждения почти до абсолютного нуля.

В онлайновом издании журнала Nature за 23 января международный коллектив, возглавляемый специалистами Массачусетского технологического института (MIT), описал механизм молекулярной памяти, способный функционировать при температуре замерзания воды: то есть, в понимании физиков, – при комнатных температурах.

Коммутирующий эффект объясняется сильным взаимодействием молекулы с поверхностью магнитного электрода. Это делает саму молекулу магнитной и стабилизирует её.

Кроме того, если в прежних экспериментах записывающие молекулы зажимались между двумя ферромагнитными электродами, то новая модель нуждается лишь в одном из них (второй – обычный металлический и применяется только для считывания токов). Возможность изменять проводимость только одним магнитным электродом позволит существенно упростить производство молекулярной памяти.

Фактически, в MIT открыли новый тип магниторезистивности. Сами же регистрирующие молекулы созданы в Индийском институте научного образования и исследований – его сотрудники выступают соавторами статьи в Nature. Молекулы состоят из атомов цинка, присоединенных к плоским листам углерода, которые естественно стараются выровняться между собой (что обеспечивает прирост проводимости). В типичных прототипах молекулярной памяти такое согласование ориентаций выливалось в весьма трудоемкую задачу.

В MIT также показали, что даже двух слоев молекул достаточно для формирования ячейки памяти. Пока рост проводимости не превышает 20%. Этого, конечно, недостаточно для коммерческого внедрения, но, как отмечают авторы, речь пока идёт лишь о демонстрации концепции.