IBM добилась успеха в разработке прототипа самой высокоплотной, миниатюрной и быстродействующей динамической памяти, интегрируемой в чипы. Она создана с применением технологии SOI следующего поколения с уровнем детализации 32 нм. Предполагается, что ее преимущества – выигрыш в производительности до 30% и в экономии энергии до 40% – обусловят применение в самых разнообразных продуктах, от серверов до бытовой электроники.
Компания изготовила прототип по технологии встраиваемой DRAM (eDRAM), обеспечивающей самый миниатюрный в индустрии размер ячейки. Как утверждает IBM, по емкости, скорости и плотности новая память превосходит стандартную интегрируемую SRAM, анонсированную с уровнем детализации 32 и 22 нм и сопоставима с прогнозируемыми характеристиками 15-нанометровой SRAM. Таким образом ее применение в массовом производстве позволит совершить прыжок сразу на три поколения технологий.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
