Представлен прототип флэш-памяти из графена и молибденита

Два года назад в лаборатории нанометровой электроники и структур Политехнической школы EPFL в Лозанне (Швейцария) были открыты необычные электрические свойства молибденита (MoS2), а спустя несколько месяцев, продемонстрирована возможность построения эффективного чипа из этого полупроводника.

Теперь сотрудники EPFL разработали прототип энергонезависимой памяти на основе молибденита и другого материала с похожей двумерной структурой — графена. Исключительно высокая электропроводность графена в новом типе флэш-памяти дополнена идеальной запрещенной зоной в электронной структуре молибденита, обеспечивающей ему естественные полупроводящие свойства.

Под слоем молибденита размещается графеновый электрод, а сверху инженерами добавлен «запоминающий» элемент, состоящий из нескольких слоев графена и служащий для удержания электрического заряда.

Молибденитовый полевой транзистор, по словам изобретателей, тоньше кремниевого аналога и более чувствителен к заряду, обеспечивая более эффективное хранение информации. Использование в конструкции памяти материалов одноатомной толщины предоставляет возможности для ее миниатюризации и создания гибких ЗУ для портативной электроники.

По результатам этой работы недавно была опубликована статья в журнале ACS Nano.