Полупроводники, выращенные на графене, могут фундаментально изменить индустрию

31 декабрь, 2012 - 17:41Леонид Бараш

Исследователи из Норвежского университета науки и технологии (NUST) запатентовали и работают над коммерциализацией нанопроволок из GaAs, выращенных на графене, гибридного материала с многообещающими свойствами.

Ожидается, что полупроводники, выращенные на графене, станут основой для устройств нового типа и могут фундаментально изменить полупроводниковую индустрию.

«Новый запатентованный гибридный материал демонстрирует исключительные оптоэлектронные свойства, – говорит проф. Хельге Веман (Helge Weman). – При его разработке мы старались объединить прозрачность и гибкость с низкой стоимостью».

Запатентованный метод выращивания полупроводниковых нанопроволок на атомарно тонком графене использует молекулярно-лучевую эпитаксию. «Мы не рассматриваем это как новый продукт, - сказал проф. Веман. – Это шаблон для нового метода производства полупроводниковых устройств. Мы ожидаем, что первыми из них будут солнечные элементы и светодиоды».

Предполагается, что изобретение может быть использовано как будущая платформа для электронных и оптоэлектронных устройств. Одним из них с очень большим коммерческим потенциалом является нанопроволочный солнечный элемент. Этот тип солнечных элементов обещает быть эффективным, недорогим и гибким. Изобретение делает возможным представить будущее с безбатарейными наномашинами и усовершенствованными трехмерными интегральными схемами, построенными на графене и полупроводниковых нанопроволоках, что сделает электронику более эффективной и миниатюрной.

             Полупроводники, выращенные на графене, могут фундаментально изменить индустрию

                       Нанопроволоки на подложке