«Полумера» может улучшить магнитную память

Китайские физики показали, что магнитную память, логические вентили и сенсорные датчики могут быть сделаны более быстрыми и энергоэффективными, используя электрическое поле для переключения намагниченности чувствительного слоя только наполовину (на 90°), а не полностью в противоположное направление.

Магнитная память с произвольным доступом (MRAM) уже давно является предметом пристального исследования как возможная замена части жестких дисков, флеш-памяти и даже компьютерных схем. Результаты предыдущих разработок, однако, были слишком энергоемкими или дорогими, чтобы выдержать конкуренцию.

«Наши новые ячейки можно с успехом использовать в качестве элементов для хранения данных и логических шлюзов, поскольку они являются быстрыми, энергонезависимыми и потребляют мало энергии», - сказал д-р Се-Вень Нань (Ce-Wen Nan) из Университета Цинхуа в Пекине. Новая ячейка проще в изготовлении - необходимы только два слоя по сравнению с тремя для традиционной MRAM.

Конструкция ячейки представляет собой простой тонкослойный сэндвич из двух разных материалов, каждый из которых имеет очень различные магнитные и электрические свойства. Приложение напряжения к сегнетоэлектрическому слою переключает его поляризацию таким способом, что начинает изменяться ориентация магнитного поля в прилегающем ферромагнитном слое. Это в свою очередь изменяет электрическое сопротивление всего стека на величину, достаточную для определения «нуля» или «единицы».

Дальнейшие исследования преследуют цель более глубокого понимания явления и оптимизации материалов для увеличения изменений сопротивления, что улучшит коммерческие характеристики разработки.