Получен «истинный» топологический изолятор

Благодаря кропотливому подбору химического состава исследователям удалось синтезировать «топологический кристаллический изолятор» — предсказанный теорией материал с необычными свойствами электропроводности, перспективный для приложений спинтроники и квантовой информатики.

На сегодняшний день уже известно много полученных экспериментально материалов, демонстрирующих топологические поверхностные состояния, но добиться полного отсутствия у них 3D-проводимости не удавалось, вероятно, из-за трудноконтролируемых дефектов атомарного масштаба.

В недавнем выпуске журнала Physical Review B, группа учёных Брукхэвенской Национальной Лаборатории сообщила об открытии соединения (теллурид олова/свинца, легированный индием), которое в самом деле проводит ток только посредством спин-поляризованных поверхностных электронов, то есть в объёме кристалла ведет себя как полноценный диэлектрик.

Данное открытие создает предпосылки для разработки устройств, манипулирующих спином вместо заряда, что обеспечит огромную экономию энергии.