| 0 |
|
Итогом сотрудничества Калифорнийского университета и хьюстонского Университета Райса стало открытие, позволяющее обойти ограничения, установленные теорией для полевых транзисторов. Как известно, такие устройства, широко используемые в малогабаритной портативной электронике, в настоящее время быстро приближаются к пределу, за которым придётся делать выбор между компактностью и низким расходом энергии. Уникальной особенностью полевого транзистора является логарифмический рост потребления энергии при уменьшении длины канала.
Подробности исследования приведены в журнале Nature, где авторы поясняют, почему, по их мнению, оно может привести к созданию более малогабаритных потребительских устройств с увеличенным сроком автономной работы, а также мельчайших датчиков, которые можно будет, например, имплантировать в человеческий организм для постоянного контроля состояния здоровья.
В описываемой там работе исследователям удалось снизить требования полевого транзистора к напряжению, применив в качестве механизма переноса зарядов квантовомеханическое туннелирование.
Экспериментальное устройство было построено из двумерного бислоя дисульфида молибдена на германиевой основе. Для этого туннельного полевого транзистора (TFET), была получена очень крутая субпороговая вольтамперная характеристика (свойство, указывающее на способность к быстрой коммутации), которая проходит ниже классического теоретического предела.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
