Память на наноточках устанавливает рекорд быстродействия
Новая работа ученых Тайваня и Калифорнийского университета в Беркли, описанная в журнале Applied Physics Letters, продемонстрировала, что память на основе наноточек способна записывать и стирать информацию в
В экспериментах использовался слой непроводящего материала, содержащий дискретные (неперекрывающиеся) кремниевые наноточки, каждая диаметром примерно 3 нм. Отдельные наноточки действовали как биты памяти. Для управления их функционированием на непроводящий материал был нанесен тонкий металлический слой — «металлический затвор», переводящий транзистор в состояния «включено» и «выключено».
По словам авторов работы, структура металлического затвора, используемые материалы и процессы, совместимы с современной массовой КМОП-технологией производства интегральных микросхем.
Использовав сверхкороткие импульсы излучения зеленого лазера для избирательного отжига (активации) отдельных областей металлического слоя ученые установили новый рекорд быстродействия зарядовой памяти. Точность и краткость воздействия лазером позволяла создавать затвор над каждой отдельной наноточкой.
Такой метод является устойчивым к ошибкам, поскольку, если одна наноточка не сработает это не затронет остальные. Это создает предпосылки для создания стабильной и долговременной платформы памяти.