Открытие устраняет препятствия для интеграции лазера на чипы

Сверхтонкий полупроводниковый лазер новой конструкции, разработка которого ведётся в Техасском университете г. Арлингтон (UTA), можно будет, наряду с другими электронными компонентами, внедрять непосредственно в кремниевую основу обычных микросхем, обеспечивая рост производительности при оптимальном энергопотреблении.

Руководитель этой работы, профессор электротехники UTA, Вэйдун Чжоу (Weidong Zhou), рассказал о ней в статье «Printed Large-Area Single-Mode Photonic Crystal Bandedge Surface-Emitting Lasers on Silicon», вышедшей в прошлом месяце в онлайновом издании Nature, Scientific Reports.

Главная идея открытия заключается в интеграции некоего сложного полупроводника в полость кремниевого фотонного кристалла. Это обеспечивает совместимость мембранного лазера толщиной менее одного микрона с планарной платформой КМОП, являющейся основой для всей современной электроники.

Первоочередными приложениями для лазеров Чжоу станут ЦОД и системы коммуникаций, где наиболее важны высокая пропускная способность и малое энергопотребление.

Новый трёхлетний грант от Офиса армейских исследований США в размере 600 тыс. долл. позволит техасским инженерам продолжить совершенствование характеристик мембранных лазеров, а также адаптировать эту технологию для применения в медицине, портативной и носимой потребительской электронике, в сенсорах и в оборудовании для визуализации.