`

Schneider Electric - Узнайте все про энергоэффективность ЦОД


СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

Best CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Открыт первый 2D-материал с дырочной проводимостью

+11
голос
Открыт первый 2D-материал с дырочной проводимостью

Инженерами Университета Юты открыт новый тип 2D-полупроводника, состоящий из моноксида олова (SnO). Заряды в нем перемещаются значительно быстрее, чем в традиционных объёмных материалах, таких как кремний, это позволит использовать новый полупроводник для создания компьютеров в 100 раз быстрее и экономичнее сегодняшних.

Активные исследования в области 2D-материалов в последние несколько лет привели к открытию графена, дисульфида молибдена, борофена, однако все они поддерживают проводимость только электронного или n-типа. Моноксид олова, синтезированный командой во главе с адъюнкт-профессором Ашутошем Тивари (Ashutosh Tiwari), стал первым известным науке 2D-полупроводником p-типа (с дырочной проводимостью).

Онлайновая публикация, рассказывающая об этом исследовании, появилась 15 февраля в журнале Advanced Electronic Materials.

«Теперь мы имеем всё — 2D-полупроводники p-типа и n-типа. Теперь все будет развиваться гораздо быстрее», — говорит Тивари. По его ожиданиям, первые прототипы устройств на 2D-транзисторах, таких как сверхэкономичные электронные импланты, будут готовы уже через 2-3 года.


Вы можете подписаться на наш Telegram-канал для получения наиболее интересной информации

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 
 
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT