| 0 |
|
Исследования, проведенные в Орегонском университете, подтвердили, что цинково-оловянный оксид, недорогой и экологичный материал, способен составить основу будущей технологии прозрачной резистивной памяти. Об этом сообщается в свежем издании профессионального журнала Solid-State Electronics.
Резистивная память произвольного доступа или RRAM (resistive random access memory), также называемая мемристором, рассматривается как возможная преемница энергонезависимой флэш-памяти, которая приближается к пределам миниатюризации и увеличения емкости. Мемристоры имеют простую структуру, позволяют быстро вносить и стирать информацию и потребляют мало энергии. В отличие от флэш-памяти, принцип действия RRAM основан на изменении электрического сопротивления, а не заряда.
Основанные на предложенном материале устройства памяти, помимо вышеперечисленных достоинств мемристоров будут также прозрачными. Это позволит создавать с их применением новые категории продуктов, такие как информационные дисплеи на ветровом стекле автомобиля, или интерактивные панели для доступа в Web – на поверхности кофейного столика.
Аморфные оксидные полупроводники, в частности, оксид индия, галлия и цинка, уже находятся на пороге коммерческого внедрения в тонкопленочных плоских дисплеях. Однако стоимость материалов на базе индия и галлия очень высока и продолжает расти, тогда как прозрачный оксид цинка и олова предлагает им полноценную альтернативу, как в тонкопленочных дисплеях, так и в мемристорных приложениях.
Сотрудники университета при поддержке Национального научного фонда США продолжают исследования с целью лучшего понимания базовой физики и электронных свойств нового материала.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
