Оксид графена положен в основу гибкой памяти с высоким быстродействием

Инновационная технология, разработанная инженерами из Эксетерского университета (Великобритания), позволяет изготавливать малогабаритную и высокоёмкую память для гибких и прозрачных устройств — новых поколений мобильных телефонов, компьютерных и телевизионных экранов и даже «умной» одежды.

Эта более дешевая и быстродействующая альтернатива флэш-памяти состоит из гибрида оксидов титана и графена. Опытные образцы запоминающих устройств на основе оксида графена создавались и прежде, но они получались слишком большими и работали медленно.

В отличие от них новое устройство гибридной памяти, о котором рассказывается в статье для журнала ACS Nano, имеет всего 50 нм в длину и 8 нм в толщину. Запись и чтение информации производятся менее, чем за пять наносекунд.

Было продемонстрировано, что эта технология также пригодна для создания многоуровневых устройств (2 бита на ячейку) на жесткой или гибкой основе с высокими показателями стабильности.

Соавтор статьи, профессор Крацюн (Monica Craciun), заявила: «Наша работа способна полностью трансформировать технологию памяти на базе оксида графена, её потенциал и предоставляемые ею возможности».