+11 голос |
Сотрудники Корейского университета и Института продвинутых технологий Samsung сообщили о создании нового типа тонкоплёночных транзисторов (TFT), которые существенно превосходят по быстродействию своих предшественников, применяемых, например, в ЖК-дисплеях. Новые устройства изготовляются из оксинитрида цинка (ZnON) и подвергаются обработке аргоновой плазмой.
Для использования в будущей электронике мобильность канальных материалов из активных оксидов, по мнению авторов, должна превышать 100 см2/Bc. В очередном выпуске Applied Physics Letters они представили транзистор с мобильностью канала 138 см2/Вс, что примерно на порядок выше, чем у лучшего прежнего TFT — плёнки из индия, галлия и оксида цинка.
Для изготовления тонких плёнок оксинитрида цинка, цинковую мишень во вращающемся держателе подвергали импульсному воздействию газовой смеси азота, кислорода и аргона. В результате был получен стекловидный слой толщиной примерно 50 нм из композита ZnO, ZnOxNx и Zn3N2.
Проблему относительной нестабильности пленки корейские учёные решили использованием аргоновой плазмы. Бомбардировка поверхности высокоэнергетичным аргоном приводила к серии столкновений между атомами и ионами. Рассеиваемая при этом энергия в материале плёнки вызывала реорганизацию связей между цинком, азотом и кислородом с образованием химически однородной и стабильной нанокристаллической структуры в аморфном наполнителе.
Дополнительными преимуществами полупроводников на основе активных оксидов, таких как ZnON, являются малая себестоимость изготовления и относительно низкая температура производственного процесса — менее 300 °C, что позволяет интегрировать их с различными неорганическими и органическими материалами.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
+11 голос |