| +11 голос |
|
На выставке IMS2011 компания NXP Semiconductors продемонстрировала в действии свою продукцию нового поколения на базе нитрид-галлиевой (GaN) технологии.
Компоненты NXP на базе GaN предназначены для устройств сотовой связи, широкополосных усилителей, систем диапазона ISM, персональных системы подвижной радиосвязи, радаров, авиационного электронного оборудования, систем освещения с РЧ-управлением, медицинских приборов, систем кабельного телевидения, а также цифровых передатчиков для сотовой связи и радиовещания. Преимуществом этой технологии является высокая плотность мощности GaN-компонентов, поэтому производитель позиционирует их еще и в такую область, как оборудование высокой мощности для широкополосного вещания, где до сих пор, как правило, используются твердотельные усилители мощности на основе вакуумных приборов.
Среди представленных компанией устройств – 50-ваттный широкополосный усилитель CLF1G0530-50 для диапазона частот 500–3000 МГц, 2,1-ГГц усилители Догерти для базовых станций, а также 100-ваттный усилитель CLF1G2435-100 для диапазона частот 2,5–3,5 ГГц.
NXP разработала высокочастотную производственную GaN-технологию для компонентов большой мощности в сотрудничестве с компанией United Monolithic Semiconductors и Фраунгоферовским институтом прикладной физики твердого тела. Опытные образцы первых GaN усилителей мощности компании NXP уже имеются в наличии. А для заказа большими партиями они будут доступны в конце 2011 г.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| +11 голос |
|
