Новый завод Samsung начал выпуск V-NAND

Samsung Electronics объявила о начале работы в штатном режиме новой производственной линии, расположенной в городе Пхёнтхэк. Её строительство началось в мае 2015 г. и обошлось в 15 трлн вон.

Первая продукция — новейшие чипы трехмерной флэш-памяти V-NAND — уже начала поступать глобальным технологическим клиентам Samsung для использования в таких приложениях, как датацентры, большие данные, искусственный интеллект и автоэлектроника.

В прошлом месяце компания анонсировала расширение ассортимента 64-слойных, 3-битовых устройств V-NAND для серверов, ПК и мобильных гаджетов. Продукция вступившей в строй линии, вероятно, может появиться уже этой осенью в новых моделях смартфонов Apple и китайских вендоров, а также в собственном «фаблете» Samsung, Galaxy Note 8.

Компания планирует до 2021 г. выделить дополнительные средства (30 трлн вон) в расширение своих мощностей в Пхёнтхэке. Вероятно они будут вложены в строительство ещё двух производственных линий. Ещё 6 трлн вон Samsung инвестирует в свой завод в городе Хвасон, где выпускаются процессоры, динамическая оперативная память и NAND для клиентов. Рассматривается также вопрос о расширении фабрики в китайском Сиане — начавшая работу в 2014 г. она обслуживает местных клиентов Samsung.

Помимо этого, Samsung, на долю которой приходится почти половина глобального рынка NAND, имеет полупроводниковые линии в Йонгине (Корея) и Остине (штат Техас).