Нове покоління QLC V-NAND підвищує рентабельність центрів обробки даних

Компанія Samsung представила твердотілий накопичувач BM1743 з чотирирівневими комірками (QLC) на базі технології V-NAND сьомого покоління. Завдяки збільшенню кількості шарів у стеку майже вдвічі порівняно з попереднім поколінням, ця технологія створює передумови для значного збільшення щільності бітів і підвищення економічності рішення. Нова логіка інтерфейсу додала підтримку операцій PCIe Gen4 та PCIe Gen5.

Твердотілий накопичувач BM1743, заснований на технології v7 QLC V-NAND, є продовженням покоління SSD BM1733a, заснованих на v5 QLC V-NAND. Використовуючи той самий формфактор U.2, що і його попередник, новий пристрій підвищеної щільності забезпечує пряме зниження вартості для додатків у центрах обробки даних.

Підвищена щільність досягається завдяки передовим технологіям обробки, які дозволяють використовувати значно більшу кількість шарів, ніж у попередньому поколінні. Крім того, удосконалення інтерфейсу пристрою підтримують не тільки оригінальний PCIe Gen3, а й роботу в режимах PCIe Gen4 і PCIe Gen5.

Загальні поліпшення, реалізовані в цьому поколінні, дають масу переваг - це не тільки можливість зберігати значно більше даних, а й швидше їхнє передавання, зниження енергоспоживання пристрою і значне підвищення надійності.

Вища щільність бітів дозволяє використовувати різні варіанти зберігання великих обсягів даних. Якщо покоління v5 підтримувало 15,36 ТБ, то покоління v7 підтримує до 61,44 ТБ. Ба більше, воно здатне вмістити до 122,88 ТБ.

У формфакторі U.2 пристрій BM1743 може використовувати можливості інтерфейсу PCIe Gen4 для підвищення продуктивності. Швидкість послідовного читання і запису даних v7 QLC NAND щонайменше вдвічі, а випадкового читання - вчетверо вища, ніж у v5. Ба більше, пристрій може бути запропоновано у формфакторі E3.S для використання інтерфейсу PCIe Gen5 для ще одного рівня підвищення продуктивності.

Показник витривалості новинки, виражений у записі на диск на день (DWPD), становить 0,26 для нового пристрою проти 0,18 для попереднього покоління. Збереження даних при відключенні живлення збільшено з 1 до 3 місяців.