Новая структура изменит представление о полупроводниковых нанопроводах

В статье «Optical, Structural and Numerical Investigations of GaAs/AlGaAs Core-Multishell Nanowire Quantum Well Tubes», опубликованной в журнале Nano Letters международной группой ученых под руководством Говарда Джексона (Howard Jackson) из университета Цинциннати (штат Огайо), сообщается об открытии новой структуры полупроводниковых нанопроводов, обладающей уникальными свойствами.

Вырастив вокруг ядра нанопровода оболочку толщиной примерно 4 нм в форме шестигранного цилиндра, исследователи обнаружили неожиданный эффект: повышенную концентрацию электронов и дырок в базовом состоянии возле места смыкания граней структуры. На фотографиях, полученных электронным микроскопом, отчетливо просматривается гексагональная форма поперечного сечения нанопроводной оболочки квантовой ямы и электроны, сосредоточенные в ее углах.

По мнению Джексона, решающим фактором в данном открытии стало наличие у оболочки граней. «Как и ожидалось, подстраивая ширину оболочки квантовой ямы можно было управлять энергией, но, вдобавок к этому, обнаружены высоколокализованные базовые состояния в углах, что может привести к созданию действительно квантовых нанопроводов», — говорит он.

Поставщиком нанопроводов для данного эксперимента был Австралийский национальный университет в Канберре. В проекте принимали участие специалисты университета Майами и Национальных лабораторий Сандиа в США, а также университета Монаш в Австралии.