| +22 голоса |
|
Современные чипы вплотную подходят к моменту, когда дальнейшее наращивание мощности и плотности транзисторов невозможно только за счет миниатюризации — минимальный размер транзистора определяется длиной световых волн, используемых в производстве. Новая техника, предложенная специалистами Массачусетского технологического института и Университета Юты, делает возможным преодолеть этот физический барьер, увеличив детализацию в восемь раз. Новая техника может также применяться в производстве фотонных устройств.
Полученный метод фактически усовершенствует технологию абсорбционной модуляции, описанную в 2009 г. в работе специалистов МТИ. Но, в отличие от ранее известного метода, позволяет наносить на кристалл не только прямые линии, но фигуры произвольной формы, причем на обычном оборудовании, применяемом в производстве микрочипов.
Новая система основана на интерференционной картине, возникающей при наложении двух источников света, и фотохромном материале, который изменяет цвет под действием пучка света. Кроме того, для нанесения шаблона на чип используется специальный фоторезист, который засвечивается с применением STED-микроскопии (использует флуоресцентные материалы, которые эмитируют свет под действием лазерного луча). STED-микроскопия использует тот факт, что при падении мощности лазера до определенного уровня эффект флюоресценции пропадает, т.о. за счет точного управления мощностью можно оставить темные зоны размера меньшего, чем длина волны самого лазера. Такие темные фрагменты используются как маска при перемещении луча по поверхности в процессе нанесения шаблона. Шаблон, перенесенный на чип, затем протравливается специальным составом.
Исследования проводились при финансовой поддержке Агентства передовых оборонных исследовательских проектов Министерства обороны США и Национального научного фонда США. Результаты работы опубликованы в журнале Physical Review Letters.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| +22 голоса |
|
