NEO Semiconductor анонсувала оперативну пам'ять технології 3D X-DRAM

Компанія NEO Semiconductor оголосила про запуск розробленої нею оперативної пам'яті 3D X-DRAM, яка покликана зняти обмеження масштабування нині широко поширеної 2D DRAM.

"3D X-DRAM стане абсолютним драйвером зростання для напівпровідникової промисловості в майбутньому", - сказав Енді Хсу (Andy Hsu), засновник і генеральний директор NEO Semiconductor. Сьогодні я можу з упевненістю сказати, що Neo стає явним лідером на ринку 3D DRAM. Наш винахід, порівняно з іншими рішеннями на ринку сьогодні, дуже простий і менш дорогий у виробництві та масштабуванні. З нашою 3D X-DRAM індустрія може розраховувати на восьмиразове збільшення щільности та місткості за десятиліття».

У запропонованій NEO Semiconductor розробці комірки пам'яті DRAM виконані за тим же принципом, що і в 3D NAND, причому функцію конденсатора виконує технологія комірок, що плавають. Вони можуть бути виготовлені з використанням сучасного процесу, подібного до 3D NAND, при цьому потрібна лише одна маска для визначення отворів бітової лінії та формування структури комірок усередині отворів. Ця комірчаста структура спрощує етапи процесу та забезпечує високошвидкісне, щільне, недороге та високоефективне рішення. За оцінками Neo, технологія 3D X-DRAM може забезпечити щільність 128 Гб із 230 шарами, що у 8 разів перевищує сьогоднішню щільність DRAM.

Зазначається, що використання 3D X-DRAM передбачає застосування лише поточного зрілого процесу 3D NAND, проти багатьох альтернатив переведення DRAM в 3D, що запропоновані в академічних статтях та досліджених індустрією пам'яті. Без 3D X-DRAM галузі доведеться чекати десятиліттями, долаючи неминучі виробничі збої та розв'язуючи неприйнятні проблеми з продуктивністю та витратами. 3D X-DRAM — це необхідне рішення для задоволення попиту, що росте, на високопродуктивні напівпровідникові пристрої пам'яті великої місткості, викликаного наступною хвилею додатків штучного інтелекту (ШІ), таких як ChatGPT.

"Еволюція від 2D до 3D-архітектури надала флешпам'яті NAND переконливі та надзвичайно цінні переваги, тому досягнення аналогічної еволюції для DRAM вкрай бажано для всієї галузі", - сказав Джей Крамер, президент Network Storage Advisors. "Інноваційна 3D X-DRAM від NEO Semiconductor дозволяє індустрії пам'яті використовувати сучасні технології, вузли та процеси для вдосконалення продуктів DRAM з 3D-архітектурою, подібною до NAND".