NEC создала усовершенствованную технологию MRAM

Как сообщила 14 июля корпорация NEC, ей удалось добиться успеха в разработке новой технологии ячеек магниторезистивной памяти(MRAM), пригодной для создания встроенных массивов высокоскоростной памяти в системных ИС следующего поколения вместо применяемой сейчас для этого статической памяти SRAM.

Технология содержит три ключевых элемента: структуру ячеек 2T1MTJ (Two Transistors And One Magnetoresistive Tunneling Junction), сокращающую время записи путем устранения верхнего предела тока записи, 5T2MTJ, ускоряющую считывание, и write-line-inserted MTJ, втрое снижающую ток записи, что позволяет уменьшить габариты ячеек MRAM.

Сообщается, что эти усовершенствования позволили поднять частоту произвольной записи до 200 MHz со 100 MHz у традиционной MRAM, а частоту считывания с 200 до 500 MHz. Таким образом, новая технология делает возможным применение MRAM в системных чипах в качестве единой памяти, совмещающей быстродействие RAM, используемой для временного хранения рабочих данных, и энергонезависимость NVM (Non Volatile Memory) -- для сбережения информации при выключении питания.