Напряженные нанопровода найдут применение в сенсорах и электрогенераторах

Модифицирование нанопроводов на атомарном уровне открывает огромные возможности для усовершенствования солнечных батарей и светодиодов. Два сотрудника NTNU (Norvegian University of Science and Technology) в кооперации с IBM открыли, что небольшое растяжение или сжатие заставляет нанопровод арсенид галлия эффективно работать, соответственно, в качестве светоизлучающего диода или фотодетектора.

В пленках арсенида галлия атомы образуют фиксированную кубическую структуру. Манипулируя атомами в нанопроводе исследователи могли формировать как кубическую, так и гексагональную решетки, свойства, в том числе оптические, которых существенно различаются.

Наилучшим образом эффект, о котором сообщает на этой неделе журнал Nature Communications, проявляется в гексагональной структуре кристалла вурцита, выращенного в лаборатории молекулярной лучевой эпитаксии NTNU.

Нанопровода, с внесенными на стадии изготовления внутренними напряжениями, помимо солнечных батарей смогут найти применение в датчиках давления или устройствах, получающих электричество из механических вибраций.

Основанное для коммерческого внедрения технологий NTNU предприятие CrayoNano AS уже освоило выращивание нанопроводов на графеновой основе, что позволяет создавать очень гибкие и легкие солнечные батареи. Оно также начинает выращивать на графене нанопровода из нитрида галлия для получения белых светодиодов с улучшенными оптическими характеристиками.