Нанометровые магниты станут легче перемагничиваться

18 май, 2009 - 14:05Леонід Бараш

Устройства, известные как спиновые клапаны, применяются сегодня для изготовления магнитной памяти (MRAM), но такая память для конкурентоспособности должна обладать большей плотностью ячеек. Это может быть достигнуто при использовании нанометровых магнитов, для «опрокидывания» которых применяется поляризованный ток (известный также как перемещение спинов). Однако проблема заключается в том, что необходимые токи остаются достаточно большими. Теперь исследователям из Франции и США удалось снизить его значение до 120 мкА при комнатной температуре для устройств размером 45 нм.

Спиновые клапаны являются спинтронными устройствами, в которых спин электронов используется наряду с их зарядами. Обычно они представляют собой сэндвичи, в которых слой металла располагается между двумя ферромагнитными электродами. Перенос спина приводит к нескольким важным и наблюдаемым эффектам.

Один из наиболее хорошо известных состоит в том, что спин-поляризованный ток, текущий в нанометровых магнитах, взаимодействует с магнитами, передавая им большой крутящий момент. Это позволяет локально воздействовать на магнитные материалы более эффективно, чем посредством магнитных полей, особенно, если размеры устройств становятся малыми. В случае MRAM эффект может также помочь значительно снизить энергопотребление.

Однако имеется загвоздка: плотность токов для изменения направления намагниченности до настоящего времени была слишком велика, что не обеспечивало надежность устройств. Кроме того, интеграция устройств на базе спиновых клапанов с технологией КМОП также требовала более низких токов.

Ученым удалось решить эту проблему, изготовив спиновые клапаны размером 45 нм на базе многослойных кобальто-никелевых элементов. Поскольку эти устройства обладают перпендикулярной анизотропией, они теплоустойчивы и требуют для «опрокидывания» силы тока всего 120 мкА без приложения внешнего магнитного поля.