Начат выпуск первых модулей мобильной памяти емкостью 3 ГБ

Samsung Electronics первой в индустрии анонсировала старт массового выпуска 3-гигабайтных модулей низковольтной мобильной памяти LPDDR3. Доступность этого высокоплотного решения создает предпосылки для перехода рынка во второй половине текущего года к новому поколению смартфонов, укомплектованных 3 ГБ оперативной памяти вместо 2 ГБ.

В Samsung 3GB LPDDR3 mobile DRAM используется шесть самых миниатюрных в мире микросхем LPDDR3 емкостью по 4 Гб, изготовляемых с уровнем детализации класса 20 нм (от 20 до 30 нм). Они организованы в виде двух однокорпусных модулей по три чипа в каждом. Толщина этого пакета не превышает 0,8 мм. Такие компактные габариты позволяют проектировать более тонкие смартфоны и оставляют дополнительное место для батарей. Пропускная способность памяти может достигать 2,133 Мб/с на контакт.

С мобильным процессором новая оперативная память соединяется двумя симметричными каналами пересылки данных, каждый из которых подключен к одному 1,5-гигабайтному модулю. В отличие от асимметричной схемы, такая структура позволяет избежать провалов в быстродействии на некоторых режимах, обеспечивая максимальную производительность системного уровня.

Увеличение объема DRAM в смартфонах практически до уровня настольных ПК позволяет реализовать в этих устройствах полноценное воспроизведение видео Full HD и быструю многозадачность. Кроме того, благодаря новой памяти ускорится загрузка данных и будет обеспечена полная поддержка стандарта мобильных коммуникаций следующего поколения LTE-A (LTE Advanced).