Начался выпуск DDR3 1 Гб с уровнем детализации 54 нм

Hynix Semiconductor анонсировала второе поколение своих чипов 1Гб DDR3 – они изготавливаются по технологии с уровнем детализации 54 нм. К массовому выпуску микросхемы, уже доступной в конфигурациях x4 и x8 компания рассчитывает приступить еще до конца октября 2009 г.

Новый чип работает с тем же напряжением (1,5 В), что и его предшественник первого поколения 1 Гб DDR3, но отличается сниженным на 30% потреблением энергии. Это качество делает его особенно привлекательным для ЦОД, серверов и суперкомпьютеров, а также для мобильных приложений.