На пути к терабайтному чипу памяти

Материалы с изменяемой фазой находят все более широкое применение. Так, компания Nanochip, базирующаяся во Фримонте (штат Калифорния), объявила о том, что она разрабатывает микросхему памяти объемом 1 ТБ, которая комбинирует среду с изменяемой фазой и кронштейн с головками чтения-записи, управляемые микроэлектронной механической системой (MEMS).

Чип памяти будет использовать традиционный DRAM-подобный интерфейс, но внутри будет функционировать как жесткий диск с множеством головок, в котором управляемые MEMS кронштейны будут двигаться в унисон над массивом ячеек, выполняя операции чтения или записи. Компания намерена выпустить первый прототип в 2009 г. и начать поставки на рынок в 2010 г.

Первый прототип будет иметь размеры ячеек 15 х 15 нм, что позволит достичь к 2010 г. емкости чипа 100 ГБ. Для достижения емкости 1 ТБ размер ячеек должен быть уменьшен до 2 х 3 нм. По оценкам компании, она сможет удваивать емкость чипа  каждый год.