| 0 |
|
Электроны распространяются в графене практически не встречая сопротивления, но для управления их движением этот материал нуждается в ненулевой запрещённой зоне – энергетическом барьере, превращающем графен из проводника в полупроводник.
В новой работе ученые смогли открыть такую запрещённую зону, осторожно легируя двухслойный графен с двух сторон, так чтобы предотвратить нарушение его кристаллической структуры. Нижний слой легировали бензил-виологеном (донор электронов), а верхний – кислородом и влагой из атмосферы, действующими как акцепторы электронов.
Было показано, что генерируемое этими легирующими добавками вертикальное магнитное поле нарушает симметрию между двумя слоями графена и создаёт атомные сайты с разными электрическими потенциалами, образуя запрещённую зону.
Модифицированный графен ученые использовали для изготовления запоминающего транзистора с высочайшим соотношением тока начального программирования/стирания среди известных на сегодняшний день графеновых транзисторов – 34,5 вместо 4. Это устройство также имеет самое высокое соотношение тока во включённом и выключенном состояниях (76,1 вместо 26) и сохраняет традиционную для графена высокую мобильность электронов (3100 см2/В·с).
Коллектив авторов, который возглавляет профессор Юн Хи Ли (Young Hee Lee) из корейского университета Сонгюнгван, разместил статью о новом методе открытия запрещённой зоны в графене в недавнем номере ACS Nano.
Авторы рассчитывают, что более стабильные и эффективные легирующие компоненты помогут ещё более улучшить рабочие характеристики графенового транзистора, и планируют использовать в нем гибкие и прозрачные подложки.
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
