Мультибитовая MRAM сможет составить конкуренцию флэш-памяти

Магнитная память с произвольным доступом (MRAM), во многих отношениях считается технологией памяти следующего поколения: она имеет высокое быстродействие, является энергонезависимой и защищенной. К сожалению, до сих пор, устройства MRAM, основанные на манипулировании намагниченностью, не могли сравняться с флэш-памятью по плотности хранения информации.

Это отставание наконец может быть преодолено, благодаря новой мультибитовой парадигме для MRAM, которую на страницах журнала Applied Physics Letters предложил исследовательский коллектив, объединивший инженеров из Франции и США.

В основу работы была положена технология MLU (Magnetic Logic Unit) фирмы Crocus Technology, которая позволила авторам удаленно контролировать датчик для измерения уровней электрического напряжения, соответствующих различным магнитным конфигурациям MRAM.

«Идентифицируя ключевые свойства получаемых электрических откликов, обычно называемых „точками экстремума“, мы можем извлечь записанную информацию», — заявил ведущий автор статьи Квентин Стайнер (Quentin Stainer) из института электроники и информатики SPINTEC/CEA в Гренобле (Франция).

Исследователи смогли однозначно продемонстрировать работоспособность концепции для трех, а позднее, для четырех бит на ячейку шириной 110 нм.

Следующим шагом участников проекта станет разработка полнофункционального мультибитового продукта, пригодного для промышленного внедрения. А на очереди — новые парадигмы с потенциалом увеличения емкости одной ячейки до восьми бит.

«Наша работа обеспечит возможность создания продуктов для широкого круга приложений, включая защищенные хранилища данных для сетевых устройств, такие как смарт-карты, контентно адресуемая память для интернет-маршрутизаторов, а также высокопроизводительную, высокоплотную и высокотемпературную память», — считает Стайнер.