Молибденит обеспечит 5-кратный рост светочувствительности цифровых камер
Коллектив Политехнической школы EPFL в Лозанне (Швейцария), открывший в 2011 г. полупроводниковые свойства молибденита (MoS2), недавно показал основанный на нем прототип датчика изображений, в котором этот двумерный материал применен вместо кремния. Новый сенсор, описываемый в статье в журнале Nature Nanotechnology, в пять раз превосходит по чувствительности современные технологии.
Для регистрации пикселя изображения заряд, генерируемый падающим светом, должен превосходить пороговый ток от батарей. Одноатомному слою молибденита требуется для функционирования очень малое напряжение, и соответственно, на преодоление низкого порога тратится значительно меньше энергии света.
Прототип был создан с единственной целью — показать потенциал молибденита для цифровых камер. Поэтому он содержит всего один пиксель, который требует в пять раз меньше света для инициации переноса заряда, чем доступные сегодня кремниевые сенсоры. Это свойство может революционизировать съемку в условиях низкого естественного освещения, позволив отказаться во многих случаях от применения фотовспышки, долгой экспозиции и вносящего шумы усиления.
В дополнение к своим исключительным фотоэлектрическим качествам, MoS2 является широко распространенным и недорогим материалом. Для изготовления прототипа не потребовалось других полупроводников, что обещает существенно упростить и удешевить производственный процесс.