`

СПЕЦІАЛЬНІ
ПАРТНЕРИ
ПРОЕКТУ

Чи використовує ваша компанія ChatGPT в роботі?

BEST CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Micron пообещала, что память перестанет быть «узким местом» компьютера

+11
голос
Micron пообещала, что память перестанет быть «узким местом» компьютера

На ежегодной Linley Processor Conference, корпорация Micron рассказала о разработанной совместно с Intel первой, по её заявлению, действительно новой массовой технологии памяти, которая поднимет на следующий уровень производительности все — от игровых приставок, до базирующихся в памяти баз данных — и сможет оставаться конкурентоспособной на протяжении целых десятилетий.

Как отметил выступавший от Micron Тодд Фаррелл (Todd Farrell), эпоха основных инноваций в технологиях памяти пришлась на ранние дни становления компьютерной индустрии. За последнюю четверть века плотность и удельная стоимость DRAM практически не изменились, а значительный рост ёмкости NAND не сопровождался увеличением её производительности (фактически, она даже снизилась). Разрыв между системной и флэш-памятью продолжает расти. Приводы SSD стали быстрее, благодаря новым интерфейсам (NVMe на шине PCI-Express и DDR), но это же ещё в больше мере произошло с DRAM после выхода DDR4. По мере того, как процессоры становятся производительнее, память все чаще оказывается узким местом, ограничивающим общее быстродействие системы.

«Мне кажется, мы в поисках идеальной памяти перепробовали все элементы периодической таблицы — те, которые нерадиоактивны», — рассказал Фаррелл. Многие из перспективных новых технологий, например, фазовая память PCM, оказались таковыми только на бумаге, непригодными для массового производства.

Intel и Micron утверждают, что технология 3D XPoint близка к тому, что можно считать идеальной компьютерной памятью. По сравнению с NAND она в 1000 раз быстрее и на столько же долговечнее. Хотя DRAM все же более высокопроизводительна, чем 3D Xpoint, последняя на порядок плотнее и намного дешевле её. Активное энергопотребление обеих технологий сопоставимо, и, хотя, 3D Xpoint не является энергонезависимой, она не нуждается и в постоянном обновлении, как DRAM.

В своей презентации Фаррелл не сообщил каких-либо технических деталей. Известно, что в ячейках 3D Xpoint применяется особый материал, изменяющий свои свойства в пунктах пересечения перпендикулярных рядов массива. Это обеспечивает адресацию на битовом уровне и оставляет простор для увеличения плотности добавлением слоёв в вертикальном направлении.

Первое устройство памяти 3D Xpoint изготовлено на совместном производстве IM Flash в г. Лехай (штат Юта). Этот двухслойный чип, ёмкость которого составляет 128 ГБ, будет готов к коммерческому дебюту в следующем году. За первенцем последуют многочисленные продукты на базе 3D XPoint, в настоящее время находящиеся на стадии разработки. Они будут работать с шинами DDR и PCIe, кроме того, Intel обеспечит прямую поддержку новой технологии памяти в своих процессорах с подобием интерфейса DDR.

Первоочередной ориентир для 3D XPoint это «массивные базы данных, базирующиеся в памяти», но эта технология может использоваться любыми приложениями, которым нужны большие объёмы высокопроизводительной памяти, такими как RAID, многоуровневое хранение или дедупликация. Фаррелл также упомянул игровые программы и распознавание образов с высокой достоверностью.

Он сообщил и о достижениях Micron в совершенствовании традиционной памяти. Компания наращивает объемы выпуска 20-нанометровой DRAM и 16-нанометровой TLC (Triple-Level Cell) NAND. Она планирует в следующем году развернуть в Сингапуре производство 3D NAND, которая, по прогнозам, должна стать преобладающим типом выпускаемой памяти NAND к концу 2016 г.

Micron также работает над новыми способами упаковки существующих чипов памяти. На Linley Processor Conference компания продемонстрировала Hybrid Memory Cubes (HMC) с контроллером от Open-Silicon. Эта технология недорога в реализации, но из-за возросшей плотности, нуждается в интенсивном отводе тепла. Разработчики систем могут использовать до восьми таких кубиков в наиболее высокоуровневых конфигурациях. Сейчас выпускаются устройства HMC DRAM второго поколения емкостью 2 и 4 ГБ, на очереди модификации номиналом 4-8 ГБ с более быстродействующим интерфейсом.

Первыми продуктами, оснащёнными HMC, станут чипы Q5 ASIC и сетевые коммутаторы QFX10000 с пропускной способностью более 1 Тб/с компании Juniper. Intel планирует использовать разновидность HMC в процессоре Knights Landing для высокопроизводительных вычислений.

Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365

+11
голос

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 

Ukraine

 

  •  Home  •  Ринок  •  IТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Мережі  •  Безпека  •  Наука  •  IoT