Micron начал массовое производство 30 нм микросхем памяти

Micron объявила о начале промышленного выпуска микросхем памяти DDR3L-RS, производимых 30-нм процессу и предназначенных для ультратонких компьютеров и планшетов. Как отмечают в Micron, использование новых элементов памяти снизит энергопотребление мобильных ПК в режиме ожидания, и следовательно, продлит время работы в автономном режиме.

Микросхемы памяти DDR3L-RS по параметрам производительности и надежности не отличаются от обычной памяти DDR3L, и но имеют пониженное энергопотребление в режиме регенерации (IDD6). Новые модули успешно прошли проверку на совместимость с платформой Intel Ivy Bridge.

Компания уже выпускает в промышленном объеме микросхемы DDR3L-RS емкостью 2 Гб и 4 Гб, а также предлагает клиентам ознакомительные образцы микросхем 8 Гб x 32 и 8 Гб x 16, запуск которых в массовое производство запланирован на декабрь 2012 г. Выпуск нового поколения элементов памяти, DDR4-RS, ожидается в начале 2013 г.

Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365