Micron Technology объявила о выпуске ранних инженерных образцов памяти DRAM с уменьшенной латентностью (RLDRAM 3), которая отличается увеличенной полосой пропускания. Подобные требования характерны для сетевых устройств типа высокоуровневых маршрутизаторов и коммутаторов, где необходимо обеспечить высокую скорость выполнения операций чтения/записи со случайным доступом. Поэтому RLDRAM 3 считают идеальным выбором для платформ с поддержкой 40 и 100 Гбит Ethernet, для систем фильтрации и инспекции пакетов и т.д.
По заявлению Micron, пропускная способность RLDRAM 3 составляет 2133 Мбит/с, а латентность не превышает 10 нс, при напряжении питания 1,2 и 1,35 В.
Начало поставок RLDRAM 3 запланировано на второе полугодие 2011 г.
Кроме самой Micron производством этого типа памяти займется также Integrated Silicon Solution (ISSI).
Ready, set, buy! Посібник для початківців - як придбати Copilot для Microsoft 365
| 0 |
|
