Металлоксидные кластеры — шаг к молекулярной флэш-памяти

Популярная сегодня флэш-память использует металлоксидные полупроводниковые компоненты, которые сложно производить с детализацией менее 10 нм. Это накладывает ограничения на максимальную информационную емкость таких устройств.

В поисках путей преодоления этого препятствия ученые пытаются использовать в качестве ячеек памяти отдельные молекулы, но низкая температурная стабильность и высокое сопротивление до сих пор препятствовали использованию таких технологий на практике.

Результатом реализации совместного исследовательского проекта Университета Глазго и испанского университета Rovira i Virgili стала разработка возможного решения, построенного на использовании металлоксидных кластеров, так называемых полиоксиметалатов (POM).

«Нам удалось спроектировать, синтезировать и характеризовать молекулы POM, захватывающие заряд и действующие как флэш-RAM, а также легировать селеном внутреннее ядро кластеров, получив новый тип памяти со однократной записью, ’write-once-erase’», — сообщил в статье для журнала Nature профессор из Глазго Ли Кронин (Lee Cronin), возглавлявший межуниверситетский исследовательский коллектив.

По заключению авторов, кластеры POM обеспечивают оптимальный баланс структурной стабильности и электронной активности, что делает их пригодными для использования в приложениях флэш-памяти.

Немаловажным достоинством молекулярных кластеров POM является то, что их можно изготавливать на оборудовании, широко используемом в индустрии, без необходимости затратного перевооружения производства.