Массовое производство революционной памяти приближается к ULTRARAM на кремниевых пластинах

22 январь, 2022 - 15:05Леонид Бараш

Новаторский тип запатентованной компьютерной памяти, известный как ULTRARAM, был продемонстрирован на кремниевых пластинах, что является важным шагом на пути к ее крупномасштабному производству.

ULTRARAM — это новый тип памяти с исключительными свойствами. Он сочетает в себе энергонезависимость памяти для хранения данных, такой как флэш-память, со скоростью, энергоэффективностью и долговечностью рабочей памяти, такой как DRAM. Для этого он использует уникальные свойства составных полупроводников, обычно используемых в фотонных устройствах, таких как светодиоды, лазерные диоды и инфракрасные детекторы, но не в цифровой электронике, которая является прерогативой кремния.

Теперь, благодаря сотрудничеству физического и инженерного факультетов Ланкастерского университета и физического факультета Уорвика, ULTRARAM™ впервые реализована на кремниевых пластинах.

Профессор Манус Хейн (Manus Hayne) с факультета физики в Ланкастере, который возглавляет работу, сказал: «ULTRARAM на кремнии — это огромный шаг вперед в наших исследованиях, позволяющий преодолеть очень серьезные проблемы материалов, связанные с большим несовпадениям кристаллических решеток, переходом от элементарных полупроводников к составным полупроводникам и различиями при термическом сжатии».

Цифровая электроника, являющаяся основой всех гаджетов, от смарт-часов и смартфонов до персональных компьютеров и центров обработки данных, использует процессоры и чипы памяти, изготовленные из полупроводникового кремния.

Из-за зрелости отрасли производства кремниевых микросхем и многомиллиардных затрат на строительство заводов по производству микросхем внедрение любой цифровой электронной технологии на кремниевых пластинах имеет важное значение для ее коммерциализации.

Примечательно, что ULTRARAM на кремниевых устройствах фактически превосходит предыдущие воплощения технологии на полупроводниковых пластинах из соединения GaAs, демонстрируя (экстраполированное) время хранения данных не менее 1000 лет, высокую скорость переключения (для размера устройства) и выносливость при циклическом стирании программы не менее 10 миллионов, что в сто—тысячу раз лучше, чем флэш.

Массовое производство революционной памяти приближается к ULTRARAM на кремниевых пластинах