Корейский чипмейкер создает технологию 4-битовых ячеек памяти NAND

Согласно заявлению аналитической фирмы American Technology Research, сведения, сообщенные компанией Samsung Electronics в ходе презентации финансовых результатов ее второго квартала, позволяют сделать вывод, что выход ее многоуровневой памяти NAND емкостью 8 Gb отложен по меньшей мере на квартал.

В то же время, корейский производитель работает над расширением ассортимента микросхем памяти и создает собственную версию технологии 4-разрядных ячеек, вывести которую на рынок рассчитывает в 2008 г. Применение подобных ячеек позволит вдвое увеличить плотность записи информации по сравнению с флэш-устройствами на базе 2-битной MLC NAND, изготовляемыми с помощью того же литографического процесса.

Новая технология Samsung будет конкурировать с такими решениями, как x4 NAND израильскойх фирмы M Systems Flash Disk Pioneers или Quad-NROM, которую ее создатель -- фирма Saifun Semiconductors -- уже лицензировала Infineon, Spansion и ряду других чипмейкеров.