`

СПЕЦИАЛЬНЫЕ
ПАРТНЕРЫ
ПРОЕКТА

Архив номеров

BEST CIO

Определение наиболее профессиональных ИТ-управленцев, лидеров и экспертов в своих отраслях

Человек года

Кто внес наибольший вклад в развитие украинского ИТ-рынка.

Продукт года

Награды «Продукт года» еженедельника «Компьютерное обозрение» за наиболее выдающиеся ИТ-товары

 

Комбинация 2D-материалов порождает полупроводник

0 
 

Комбинация 2D-материалов порождает полупроводник

Совместив два двумерных материала — проводник графен и изолятор нитрид бора — ученые MIT получили высококачественный полупроводник, о чем сообщили в журнале Science.

Для того чтобы добиться от гибридного материала желаемых свойств требовалось точно совместить две гексагональные атомарные решетки. Их период немного различается —размер шестиугольников у нитрида бора на 1,8% больше, чем у графена. Поэтому, на небольших участках поверхности решетки практически совпадают, но с увеличением масштаба рассогласование растет.

На данном этапе инженеры не могли надежно контролировать угловую ориентацию налагаемых атомарных слоев, однако в экспериментах примерно один из 15 образцов получался таким, как требовалось, т.е. демонстрировал наличие запрещенной зоны, необходимой для функционирования транзисторов.

«Качества нитрида бора «просачиваются» в графен, — комментирует один из авторов исследования. — Но наиболее интересно то, что получающийся полупроводник можно «настраивать» слегка разворачивая один слой относительно другого, что позволяет создавать целый спектр материалов с варьирующимися электронными характеристиками».

Пока размер запрещенной полосы в гибридном материале получается меньше, чем требуется для большинства практических электронных устройств, но уже в таком виде полупроводник может использоваться в фотодетекторах и ряде других приложений оптоэлектроники.

Имеющаяся теория предсказывает, что свойства гибрида должны варьироваться на разных участках поверхности из-за несовпадения периодов решетки. Тем не менее, опыты показали, что запрещенная полоса постоянна для всей поверхности материала. Кроме того, амплитуда изменения электронных свойств при совмещении двух материалов также намного превосходит теоретические прогнозы.

Подвергнув материал действию магнитного поля коллектив MIT также смог воспроизвести интересный физический эффект — «бабочку Хофштадтера». Вчера мы сообщали о двух других экспериментах, независимо достигнувших аналогичного результата, что свидетельствует о высокой интенсивности исследований в области совмещения двумерных материалов.

26 ноября — не пропустите Dell Technologies Forum EMEA!

0 
 

Напечатать Отправить другу

Читайте также

 

Slack подает жалобу на Microsoft и требует антимонопольного расследования от ЕС

 
Реклама

  •  Home  •  Рынок  •  ИТ-директор  •  CloudComputing  •  Hard  •  Soft  •  Сети  •  Безопасность  •  Наука  •  IoT