КМОП-технологии можно будет применить для контроля квантовых компьютеров

9 февраль, 2022 - 11:55

SpaceX потеряла 40 спутников Starlink из-за геомагнитной бури

В статье, недавно опубликованной в журнале Nature Electronics, исследователи из Федеральной политехнической школы Лозанны (EPFL) и Кембриджской лаборатории Hitachi представили разработанную ими интегральную схему, которая комбинирует кремниевые квантовые точки с обычной, коммерчески доступной электроникой на основе криогенной технологии КМОП.

Поддержка двумерного мультиплексирования  (по частоте и времени) позволяет чипу одновременно считывать несколько квантовых устройств, подключенных одним проводом и работающих на разных частотах.

В состав чипа входят два основных модуля: модуль устройства и модуль датчика. В первом используется 2D-массив 40-нм полевых транзисторов, а во втором в качестве электрометра применён металлический LC-резонатор.

КМОП-транзисторы напоминают те, которые используются в смартфонах и других популярных электронных устройствах, но, в отличие от обычных транзисторов, они работают при криогенных температурах (50 мК) и содержат массив кремниевых квантовых точек.

Модули объединены с использованием стандартной 40-нм технологии КМОП. Это является ключевым преимуществом, так как означает, что в дальнейшем такие чипы можно будет легко производить в больших масштабах.

Исследователи смогли экспериментально продемонстрировать быстрое зондирование с 2D-мультиплексированием, наглядно показав, что двумерные массивы квантовых точек на основе кремния можно изготавливать, контролировать и контролировать с использованием существующих электронных компонентов.

В будущем такая архитектура окажется полезной для считывания больших двумерных массивов кремниевых квантовых точек, а также кубитов. В конечном счете, это сможет помочь устранить некоторые связанные с масштабированием ограничения существующих квантовых процессоров на кремниевой основе.

На следующих этапах исследователи планируют продемонстрировать управление/доступ/считывание двумерного массива кубитов с использованием архитектуры памяти DRAM, изготовленной ​​с использованием коммерческих электронных компонентов.