Изготовлен первый чип памяти NAND с детализацией 40 нм

Samsung Electronics на своей шестой ежегодной пресс-конференции в Сеуле (Корея) сообщила о создании первого в индустрии устройства памяти, изготовленного по технологии с уровнем детализации 40 нм. В микросхеме флэш-памяти NAND емкостью 32 GB также впервые получила применение архитектура Charge Trap Flash (CTF), что дополнительно увеличивает эффективность производства при одновременном улучшении быстродействия.

В CTF управляющий затвор в пять раз меньше, чем в обычной структуре "плавающих затворов" (floating gate). Данные временно помещаются в непроводящем слое нитрида кремния, что увеличивает надежность работы и улучшает контроль за током записи.

В 40-нанометровом чипе также используется структура TANOS (Tantalum, Aluminum Oxide, Nitride, Oxide и Silicon): тантал (металл), оксид алюминия (high k - материал), нитрид, оксид и кремний. Это первый опыт применения комбинации из металлического слоя и high k в устройстве NAND.

Новый продукт Samsung стал уже седьмым поколением NAND подтверждающим теорию New Memory Growth Theory, согласно которой емкость чипов памяти должна удваиваться каждые 12 месяцев.