Исследователям удалось значительно ускорить запись на фазовую память

Группе исследователей из Кембриджского университета удалось улучшить характеристики памяти с изменяемым фазовым состоянием (PCM). Они экспериментировали с материалом на основе германия, теллура и сурьмы (Ge₂Sb₂Te₅). За счет предварительной организации атомов при помощи электрического поля, им удалось сократить время кристаллизации до 500 пикосекунд. Это приблизительно в 10 раз меньше по сравнению с ранее достигнутым результатом. При этом, вещество остается стабильным после 10 тыс. циклов перезаписи.

PCM базируется на хорошо известных материалах, применяемых в перезаписываемых лазерных дисках. В конечном итоге, PCM, как ожидают, должна по всем параметрам — быстроте, себестоимости и экономии энергии — превзойти флэш-память.

Значительного прогресса в адаптации этой технологии для энергонезависимой памяти общего назначения за последние месяцы добились лидеры индустрии, IBM и Samsung. Кроме того, недавно исследователям из хьюстонского Университета Райса и Калифорнийского университета в Лос-Анджелесе (UCLA) удалось более чем на 30% сократить расход энергии при записи данных на карты, использующие PCM-память.